在IEDM2023上，英特尔展示了结合背面供电和直接背面触点的3D堆叠CMOS晶体管，这些开创性的技术进展将继续推进摩尔定律。2023年12月9日，英特尔在IEDM2023（2023IEEE国际电子器件会议）上展示了多项技术突破，为其的制程路线图提供了丰富的创新技术储备，充分说明了摩尔定律仍在不断演进。具体而言，英特尔研究人员在大会上展示了结合背面供电和直接背面触点（directbacksidecontacts）的3D堆叠CMOS晶体管，分享了近期背面供电研发突破的扩展路径（如背面触点），并率先在同一块300毫米晶圆上，而非封装中，成功实现了硅晶体管与氮化镓（GaN）晶体管的大规模单片3D集成。英特尔公司高级副总裁兼组件研究总经理SanjayNatarajan表示：“我们正在进入制程技术的埃米时代，展望‘四年五个制程节点’计划实现后的未来，持续创新比以往任何时候都更加重要。在IEDM2023上，英特尔展示了继续推进摩尔定律的研究进展，这显示了我们有能力面向下一代移动计算需求，开发实现晶体管进一步微缩和高能效比供电的前沿技术?！本骞芪⑺鹾捅趁婀┑缡锹闶澜缍愿看笏懔χ甘对龀ば枨蟮墓丶Ｒ恢币岳?，英特尔始终致力于满足算力需求，表明其技术创新将继续推动半导体行业发展，也仍然是摩尔定律的“基石”。英特尔组件研究团队不断拓展工程技术的边界，包括晶体管堆叠，背面供电技术的提升（有助于晶体管的进一步微缩和性能提升），以及将不同材料制成的晶体管集成在同一晶圆上。英特尔近期在制程技术路线图上的诸多进展，包括PowerVia背面供电技术、用于先进封装的玻璃基板和FoverosDirect，彰显了英特尔正在通过技术创新不断微缩晶体管。这些创新技术均源自英特尔组件研究团队，预计将在2030年前投产。在IEDM2023上，英特尔组件研究团队同样展示了其在技术创新上的持续投入，以在实现性能提升的同时，在硅上集成更多晶体管。研究人员确定了所需的关键研发领域，旨在通过高效堆叠晶体管继续实现微缩。结合背面供电和背面触点，这些技术将意味着晶体管架构技术的重大进步。随着背面供电技术的完善和新型通道材料的采用，英特尔正致力于继续推进摩尔定律，在2030年前实现在单个封装内集成一万亿个晶体管。英特尔实现了业界领先的、突破性的3D堆叠CMOS晶体管，结合了背面供电和背面触点技术：?英特尔在IEDM2023上展示了业界领先的最新晶体管研究成果，能够以微缩至60纳米的栅极间距垂直地堆叠互补场效应晶体管（CFET）。该技术可通过晶体管堆叠提升面积效率（areaefficiency）和性能优势，还结合了背面供电和直接背面触点。该技术彰显了英特尔在GAA（全环绕栅极）晶体管领域的领先地位，展示了英特尔在RibbonFET之外的创新能力，从而能够领先竞争。超越其“四年五个制程节点”计划，以背面供电技术继续微缩晶体管，英特尔确定了所需的关键研发领域：?英特尔的PowerVia将于2024年生产准备就绪，率先实现背面供电。英特尔组件研究团队在IEDM2023上发表的研究明确了超越PowerVia，进一步拓展背面供电技术的路径，及所需的关键工艺进展。此外，该研究还强调了对背面触点和其它新型垂直互联技术的采用，从而以较高的面积效率堆叠器件。英特尔率先在同一块300毫米晶圆上成功集成硅晶体管和氮化镓晶体管，且性能良好：?在IEDM2022上，英特尔聚焦于性能提升，以及为实现300毫米硅基氮化镓（GaN-on-silicon）晶圆开辟一条可行的路径。今年，英特尔在硅和氮化镓的工艺集成方面取得了进展，成功实现了一种高性能、大规模的集成电路供电解决方案，名为“DrGaN”。英特尔的研究人员率先在这一技术领域实现了良好的性能，有望让供电解决方案满足未来计算对功率密度和能效的需求。英特尔推进2D晶体管领域的研发工作，以使其在未来继续按照摩尔定律的节奏微缩下去：?过渡金属二硫属化物（TMD,Transitionmetaldichalcogenide）2D通道材料让晶体管物理栅极长度有机会微缩到10纳米以下。在IEDM2023上，英特尔将展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物晶体管原型，用于NMOS（n型金属氧化物半导体）和PMOS（p型金属氧化物半导体）这两大CMOS关键组件。此外，英特尔还将展示其率先实现的两项技术：GAA2D过渡金属二硫属化物PMOS晶体管和在300毫米晶圆上制造的2DPMOS晶体管。